Vakuum-Reflow-Öfen werden hauptsächlich für Anwendungen verwendet, bei denen lunkerfreies Löten entscheidend ist.
Leistungselektronik: Zum Anbringen von Dies auf Substrate (wie DBC oder AMB) in IGBT-Modulen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und effiziente Wärmeableitung erforderlich sind..
Halbleiterverpackung: Wird für das Reflow-Löten bei der Verpackung von Chips und Sensoren verwendet.
LED-Fertigung: Sorgt für lunkerfreie Verbindungen in LED-Modulen für eine bessere Wärmeableitung.
Fortschrittliche Leiterplatten: Für hochzuverlässige Leiterplatten (PCBs) mit komplexen Schichtstapeln und Bauteilen
Diese Art von Maschinen eignen sich für flussmittelfreies Löten mit Ameisensäure und die Verarbeitung in inerten oder kontrollierten Atmosphären. Dennoch erfordern einige Prozesse weiterhin die Verarbeitung von flussmittelhaltigen Loten. Unser Vakuum-Reflow-Ofen ist auch dafür ausgestattet
die-attach – Eine der häufigsten Anwendungen von Vakuum-Reflow-Lötsystemen. Normalerweise werden blanke Dies, wie z.B. IGBT, Leistungs- oder Laserdioden, MEMS usw., auf ein Substrat, Leadframe oder ein anderes Halbleitergehäuse platziert. Ein Metallvorformling oder gedruckte Lotpaste wird verwendet, um während des Reflow-Prozesses eine dauerhafte Verbindung herzustellen. Der perfekte Prozess, der eine optimale Kombination von Materialien, Prozessparametern und Ausrüstung aufrechterhält, bedeutet eine lunkerfreie Verbindung, eine stabile Höhe der Bondpads und keine kritische Verschiebung der Dies.
Substratlöten – Das großflächige Löten von DBC- und AMB-Substraten ist ein sehr anspruchsvoller Prozess für das Vakuum-Reflow-Lötsystem. Besonders in der Herstellung von Leistungsmodule muss das Lötverfahren neben lunkerfreien Verbindungen und dem Fehlen von Schrumpfungshohlräumen auch eine hohe Durchsatzrate, niedrige Betriebskosten und Robustheit in einer Massenproduktionsumgebung gewährleisten. Beim Löten von doppelseitigen Kühlmodulen ist ein hohes Maß an Flexibilität erforderlich, um verschiedene Vorrichtungen zu implementieren und die geometrischen Abmessungen in einem engen Toleranzbereich zu halten.
Gehäuseversiegelung – Um den Schutz elektronischer Geräte vor Umwelteinflüssen zu gewährleisten, werden sie häufig in einem keramischen oder metallischen Gehäuse versiegelt, das mechanische Unterstützung und elektrische Durchführungen bietet. In einigen Anwendungen, wie z.B. bei der Verpackung von Mikrobolometern und Gyroskopen, muss das Gerät im Vakuum gekapselt werden. Die Anforderungen an ein Vakuum-Reflow-System umfassen die Kontrolle der Ausgasung von Gehäusen und Geräten sowie der Kammeratmosphäre. Dies ist entscheidend für eine Lötverbindung mit einem extrem niedrigen Leckagegrad.
T/R modules – Hochzuverlässige Lötverbindungen sind entscheidend für die Herstellung von Hochfrequenzgeräten in einer Vielzahl von Raum-, Luft- und Bodenanwendungen. Fluxfreie Prozesse unter Verwendung von Ameisensäure oder Wasserstoff als Reduktionsmittel sind gut etabliert.
Wafer bump reflow – Löt- und Säulenbumps aus vielen verschiedenen Materialien werden beim Flip-Chip- und Wafer-Level-Löten verwendet. Sie können mit Lotpaste schabloniert, elektrochemisch abgeschieden oder über das Lötkugelex-Verfahren auf den Wafer aufgebracht werden. Im anschließenden Reflow-Lötprozess werden die Bumps zu einer einheitlichen Geometrie geformt und mit der Unterbump-Metallisierung verbunden. Abhängig von der Bump-Herstellungsmethode kann der Reflow-Prozess mit oder ohne Flussmittel durchgeführt werden. Bei einem flussmittelfreien Reflow erfolgt der Reinigungsprozess in der Reflow-Kammer, z.B. mit Plasma oder Ameisensäure, abhängig von der Materialzusammensetzung der Bumps.
Wafer level packaging (WLP) ermöglicht einerseits die extreme Miniaturisierung des Gehäuseformfaktors und die Reduzierung der Kosten pro Gerät. Andererseits macht es neue Ansätze in der 3D-Verpackung und heterogenen Integration möglich, was die Geräteleistung entscheidend verbessert.
Hartlöten – Die Verwendung von Loten mit hohem Schmelzpunkt, die auf Silber oder Glas basieren, kann verwendet werden, um Teile aus Edelstahl, Kovar®, Keramik usw. zu verbinden.
Weitere thermische Prozesse wie Glühen, Sintern und Legieren auf Substrat- oder Wafer-Ebene können angewendet werden, um die Materialzusammensetzung sowie die chemischen und physikalischen Eigenschaften zu verändern. Neben einer exzellenten Temperaturkontrolle während des gesamten Profils erfordern sie eine sehr gute Temperaturgleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit
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